横河SUM FET的静态特性测试

  静态特性是半导体的重要参数,场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写FET)的直流特性中,有VGS-ID和VDS-ID特性,是代表FET的输入和输出关系的基本特性。FET的静态测试需要半导体参数分析仪等专用设备以及电压源、电流计等多种测量设备。而通过使用GS820的可编程扫描功能,即可轻松实现三端半导体器件的静态特性的测量与分析。

  使用GS820的通道1输出栅源电压Vgs,通道2输出漏源电压Vds同时测量漏电流,并自动生成记录文件。试验示意图如下所示:

 

  使用表格软件编辑扫描文件,通过USB连接直接放入GS820的存储器,GS820即可读取设置的参数并扫描输出,并自动返回测量结果。

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