半导体无尘室安全工作规范
一、无尘室须知
1.进入无尘室前，必须知会管理人，并通过基本训练。
2.进入无尘室严禁吸烟，吃(饮)食，外来杂物(如报章，杂志，铅笔...等)不可携入，并严禁嘻闹奔跑及团聚谈天。
3.进入无尘室前，需在规定之处所脱鞋，将鞋置于鞋柜内，外衣置于衣柜内，私人物品置于私人柜内，柜内不可放置食物。
4.进入无尘室须先在更衣室，将口罩，无尘帽，无尘衣以及鞋套按规定依程序穿戴整齐，再经空气洗尘室洗尘，并踩踏除尘地毯(洗尘室地板上)方得进入。
5.戴口罩时，应将口罩戴在鼻子之上，以将口鼻孔盖住为原则，以免呼吸时污染芯片。
6.穿著无尘衣，无尘帽前应先整理服装以及头发，以免着上无尘衣后，不得整理又感不适。
7.整肃仪容后，先戴无尘帽，无尘帽的穿戴原则系:
(1)头发必须完全覆盖在帽内，不得外露。
(2)无尘帽之下摆要平散于两肩之上，穿上工作衣后，方不致下摆脱出，裸露肩颈部。
8.无尘帽戴妥后，再着无尘衣，无尘衣应尺吋合宜，才不致有裤管或衣袖太短而裸露皮肤之虞，穿衣时应注意帽之下摆应保平整之状态，无尘衣不可反穿。
9.穿著无尘衣后，才着鞋套，拉上鞋套并将鞋套整平，确实盖在裤管之上。
10.戴手套时应避免以光手碰触手套之手掌及指尖处(防止钠离子污染)，戴上手套后，应将手套之手腕置于衣袖内，以隔绝污染源。
11.无尘衣着妥后，经洗尘，并踩踏除尘毯，方得进入无尘室。
12.不论进入或离开无尘室，须按规定在更衣室脱无尘衣，不可在其它区域为之，尤不可在无尘室内边走边脱。
13.无尘衣，鞋套等，应定期清洗，有破损，脱线时，应即换新。
14.脱下无尘衣时，其顺序与穿著时相反。
15.脱下之无尘衣应吊好，并放于更衣室内上层柜子中;鞋套应放置于吊好的无尘衣下方。
16.更衣室内小柜中，除了放置无尘衣等规定物品外，不得放置其它物品。
17.除规定纸张及物品外，其它物品一概不得携入无尘室。
18.无尘衣等不得携出无尘室，用毕放置于规定处所。
19.口罩与手套可视状况自行保管或重复使用。
20.任何东西进入无尘室，必须用洒精擦拭干净。
21.任何设备的进入，请知会管理人，在无尘室外擦拭干净，方可进入。
22.未通过考核之仪器，禁止使用，若遇紧急情况，得依紧急处理步骤作适当处理，例如关闭水、电、气体等开关。
23.无尘室内绝对不可动火，以免发生意外。
二、无尘室操作须知
1.处理芯片时，必须戴上无纤维手套，使用清洗过的干净镊子挟持芯片，请勿以手指或其它任何东西接触芯片，遭碰触污染过的芯片须经清洗，方得继续使用：
(1)任何一支镊子前端(即挟持芯片端)如被碰触过，或是镊子掉落地上，必须拿去清洗请勿用纸巾或布擦拭脏镊子。
(2)芯片清洗后进行下一程序前，若被手指碰触过，必须重新清洗。
(3)把芯片放置于石英舟上，准备进炉管时，若发现所用镊子有污损现象或芯片上有显眼由镊子所引起的污染，必须将芯片重新清洗，并立即更换干净的镊子使用。
2.芯片必须放置盒中，盖起来存放于规定位置，尽可能不让它暴露。
3.避免在芯片上谈话，以防止唾液溅于芯片上，在芯片进扩散炉前，请特别注意，防止上述动作产生，若芯片上沾有纤维屑时，用氮气枪喷之。
4.从铁弗龙(Teflon)晶舟，石英舟(QuartzBoat)等载具(Carrier)上，取出芯片时，必须垂直向上挟起，避免刮伤芯片，显微镜镜头确已离芯片，方可从吸座上移走芯片。
5.芯片上，若已长上氧化层，在送黄光室前切勿用钻石刀在芯片上刻记。
6.操作时，不论是否戴上手套，手绝不能放进清洗水槽。
7.使用化学站或烤箱处理芯片时，务必将芯片置放于铁弗龙晶舟内，不可使用塑料盒。
8.摆置芯片于石英舟时，若芯片掉落地上或手中则必须重新清洗芯片，然后再进氧化炉。
9.请勿触摸芯片盒内部，如被碰触或有碎芯片污染，必须重作清洗。
10.手套，废纸及其它杂碎东西，请勿留置于操作台，手套若烧焦、磨破或纤维质变多必须换新。
11.非经指示，绝不可开启不熟悉的仪器及各种开关阀控制钮或把手。
12.奇怪的味道或反应异常的溶液，颜色，声响等请即通知相关人员。
13.仪器因操作错误而有任何损坏时，务必立刻告知负责人员或老师。
14.芯片盒进出无尘室须保持干净，并以保鲜膜封装，违者不得进入。
15.无尘室内一律使用原子笔及无尘笔记本做记录，一般纸张与铅笔不得携入。
三、黄光区操作须知
1.湿度及温度会影响对准工作，在黄光区应注意温度及湿度，并应减少对准机附近的人，以减少湿、温度的变化。
2.上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得携出黄光区以免感光。
3.己上妥光阻，而在等待对准曝光之芯片，应放置于不透明之蓝黑色晶盒之内，盒盖必须盖妥。
4.光罩使用时应持取边缘，不得触及光罩面，任何状况之下，光罩铬膜不得与他物接触，以防刮伤，光罩之落尘可以氮气枪吹之。
5.曝光时，应避免用眼睛直视曝光机汞灯。
四、镊子使用须知
1.进入实验室后，应先戴上手套后，再取镊子，以免沾污。
2.唯有使用干净的镊子，才可持取芯片，镊子一旦掉在地上或被手触碰，或因其它原因而遭污染，必须拿去清洗，方可再使用。
3.镊子使用后，应放于各站规定处，不可任意放置，如有特殊制程用镊子，使用后应自行保管，不可和实验室内各站之镊子混合使用。
4.持镊子应采"握笔式"姿势挟取芯片。
5.挟取芯片时，顺序应由后向前挟取，放回芯片时，则由前向后放回，以免刮伤芯片表面。
6.挟取芯片时，"短边"(锯状头)置于芯片正面，"长边"(平头)置于芯片背面，挟芯片空白部分，不可伤及芯片。
7.严禁将镊子接触酸槽或D.IWater水槽中。
8.镊子仅可做为挟取芯片用，不准做其它用途。
五、化学药品使用须知
1.化学药品的进出须登记，并知会管理人，并附上物质安全资料表(MSDS)于实验室门口。
2.使用化学药品前，请详读物质安全资料表(MSDS)，并告知管理人。
3.换酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸长袖手套，头戴护镜，脚着塑料防酸鞋，始可进行换酸工作。
4.不得任意打开酸瓶的盖子，使用后立即锁紧盖子。
5.稀释酸液时，千万记得加酸于水，绝不可加水于酸。
6.勿尝任何化学药品或以嗅觉来确定容器内之药品。
7.不明容器内为何种药品时，切勿摇动或倒置该容器。
8.所有化学药品之作业均须在通风良好或排气之处为之。
9.操作各项酸液时须详读各操作规范。
10.酸类可与碱类共同存于有抽风设备的储柜，但绝不可与有机溶剂存放在一起。
11.废酸请放入废酸桶，不可任意倾倒，更不可与有机溶液混合。
12.废弃有机溶液置放入有机废液桶内，不可任意倾倒或倒入废酸桶内。
13.勿任意更换容器内溶液。
14.欲自行携入之溶液请事先告知经许可后方可携入，如果欲自行携入之溶液具有危险性时，必须经评估后方可携入，并请于容器上清楚标明容器内容物及保存期限。
15.废液处理：废液分酸、碱、氢氟酸、有机、等，分开处理并登记，回收桶标示清楚，废液桶内含氢氟酸等酸碱，绝对不可用手触碰。
16.漏水或漏酸处理：漏水或漏酸时，为确保安全，绝对不可用手触碰，先将电源总开关与相关阀门关闭，再以无尘布或酸碱吸附器处理之，并报备管理人。
六、化学工作站操作
1.操作时须依规定，戴上橡皮手套及防护口罩。
2.不可将塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3.添加任何溶液前，务必事先确认容器内溶剂方可添加。
4.在化学工作站工作时应养成良好工作姿势，上身应避免前倾至化学槽及清洗槽之上方，一方面可防止危险发生，另一方面亦减少污染机会。
5.化学站不操作时，有盖者应随时将盖盖妥，清洗水槽之水开关关上。
6.化学药品溅到衣服、皮肤、脸部、眼睛时，应即用水冲洗溅伤部位15分钟以上，且必须皮肤颜色恢复正常为止，并立刻安排急救处理。
7.化学品外泄时应迅速反应，并做适当处理，若有需要撤离时应依指示撤离。
8.各化学工作站上使用之橡皮手套，避免触碰各机台及工作台，及其它器具等物，一般操作请戴无尘手套。
七、RCAMethod
1.DIWater5min
2.H2SO4:H2O2=3:1煮10~20min75~85℃，去金属、有机、油
3.DIWater5min
4.HF:H2O10~30sec，去自然氧化层(NativeOxide)
5.DIWater5min
6.NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5煮10~20min75~85℃，去金属有机
7.DIWater5min
8.HCl:H2O2:H2O=1:1:6煮10~20min75~85℃去离子
9.DIWater5min
10.SpinDry
八、清洗注意事项
1.有水则先倒水﹐H2O2最后倒﹐数字比为体积比。
2.有机与酸碱绝对不可混合﹐操作平台也务必分开使用。
3.酸碱溶液等冷却后倒入回收槽﹐并以DIWater冲玻璃杯5min。
4.酸碱空瓶以水清洗后﹐并依塑料瓶﹐玻璃瓶分开置于室外回收筒。
5.氢氟酸会腐蚀骨头﹐若碰到立即用葡萄酸钙加水涂抹，再用清水冲洗干净，并就医。碰到其它酸碱则立即以DIWater大量冲洗。
6.清洗后之Wafer尽量放在DIWater中避免污染。
7.简易清洗步骤为1-2-9-10;清洗SiO2步骤为1-2-10;清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8.去除正光阻步骤为1-2-10，或浸入ACE中以超音波振荡。
9.每个玻璃杯或槽都有特定要装的溶液﹐蚀刻、清洗、电镀、有机绝不能混合。
10.废液回收分酸、碱、氢氟酸、电镀、有机五种，分开回收并记录，倾倒前先检查废弃物兼容性表，确定无误再倾倒。
无尘室系统
使用操作方法
1.首先打开控制器面板上的【电热运转】、【加压风车运转】、【浴尘室运转】、【排气风车运转】等开关。
注意:
*温度控制器及湿度控制器可由黄色钮调整，一般温度控制为20℃DB，湿度控制为50%RH。
*左侧的控制器面板上电压切换开关为【RU】，电流切换开关为【T】。右侧的控制器面板上电压切换开关为【RS】，电流切换开关为【OFF】。
2.将箱型空气调节机的送风关关打开，等送风稳定后再将冷气暖气开关打开，此时红色灯会亮起，表示正常运作。
注意:
*冷气的起动顺序为压缩机【NO.2】。
*温度调节为指针指向红色暖气【5】。
*分流开关AIRVALVE为【ON】。
3.无尘室使用完毕后，要先将箱型空气调节机关闭，按【停止】键即可。
4.再将控制器面板上的【电热运转】、【加压风车运转】、【浴尘室运转】、【排气风车运转】等开关依序关闭。
气体钢瓶
使用操作方法
1.用把手逆时针打开气体钢瓶到底，将【OUTLET】打开PURGE关闭。
2.由黑色转钮调整气体钢瓶的压力(psi)，顺时针方向为增加，逆时针方向为减少。
3.将N2钢瓶调整为40psi(黄光室内为20psi),AIR钢瓶调整为80psi(黄光室内为60psi)。
4.气体钢瓶使用完毕后，用把手顺时针关闭气体钢瓶到底，将【OUTLET】关闭【PURGE】打开将管路内的气体排出后将【PURGE】关闭。
纯水系统
使用操作方法
1.阀门控制
(1)阀门(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19应保持全开。
(2)阀门V5、V7、V11、V18、V21应保持全关。
(3)阀门V9、V20为调压作用，不可全开或全关。
(4)阀门中V5为砂滤机之BY-PASS，V15为U.V灯之BY-PASS，V18为DI桶之BY-PASS，V21为RO膜之BY-PASS。
2.自动造水
步骤1：如上【阀门控制】将各球阀门开关定位。
步骤2：控制箱上，各切换开关保持在【OFF】位置。
步骤3：将控制箱上【系统运转】开关切换至【ON】位置。
步骤4：电磁阀1激活先做初期排放。
步骤5：电磁阀2激活造水。
步骤6：此时，PUMP1、PUMP2依序激活，系统正常造水，RO产水经管路进入储水桶(TANK)，当水满后控制箱上高液位指示灯亮，系统自动停机，并于储水桶水位下降至低液位时再激活造水。
3.系统用水
将控制箱上之【夜间循环-停-用水】切换开关切换至【用水】，此时PUMP3输送泵浦激活，TANK内之纯水经帮浦输送至U.V、DI桶及精密过滤后，供现场各使用点使用。
4.夜间循环
控制箱上之【夜间循环-停-用水】切换开关，主要在配合每日下班或连续假日停止供水后管路之卫生考虑，其步骤为:
(1)停止供水59分钟后，系统再自动供水1分钟。
(2)此后每隔59分钟供水循环1分钟至夜间循环【停】为止。
5.系统侦测
本系统中附有各项压力表、流量计及导电度计，作为系统运转之控制，其功能如下:
压力表1：砂滤机进水压力
压力表2：RO进水压力
压力表3：RO排水压力
压力表4：DI进水压力
压力表5：供水回流压
流量计1：RO排水流量
流量计2：RO产水流量
另外，控制箱(机房)附有二段式LED导电度显示屏，原水及产水分别切换显示。
6.系统维护
HF-RD系统，应定期更新之耗材:
(1)砂滤机应定期逆时。
(2)预滤应每1-2个月更新。
(3)膜管应视其去除率及产水量做必要之清洗或更新。
(4)树脂混床视比电阻值更新。
(5)精密过滤约每2-4个月更新。
7.故障排除
现象可能因素排除方法
系统停机、系统无法激活1.外电源异常2.系统运转开关未按下3.系统电路故障4.马达/泵浦故障1.检查系统电源电路2.按下系统运转开关3.通知厂商4.更新马达/泵浦
低产水量1.膜管排水量太高2.压力不足3.膜管阻塞1.调整排水阀V92.清洗膜管或更新膜管
低比电阻1.树脂功能下降2.RO去除率下降1.更换树脂2.更换RO膜组
光罩对准机
使用操作方法
曝光机简介
在半导体制程中，涂布光阻后的芯片，须经UV紫外光照射曝光显影，此台曝光机为OAI200系列，整合光罩对准、UV紫外光曝光显影、UV紫外光测量装置及光罩夹持装置。
OAI200系列为一入门型光罩对准仪，可以手动操作更改各项使用参数，如曝光时间、曝光强度及曝光功率等等。对于中高阶的线宽有很好的显影效果，此系列最大可使用四吋的芯片，最大的曝光功率为1KW。
曝光机使用步骤
1.检查氮气钢瓶〈AIR60psi〉〈N220psi〉以及黄光室的氮气阀、空气阀是否有开启。开启曝光机下方延长线的红色总开关，再开启曝光机、显微镜。
2.接上隧道式抽风马达电源，进行曝光机抽风步骤，并检查曝光机上方汞灯座后面进风口是否有进气。如果风量微小或者无进气，则无法开启汞灯的电源〈会有警报声〉。确定进风口有进气后，才可开启曝光机下方的汞灯电源供应器ON/OFF开关。
3.按住汞灯电源供应器之START键，约1~3秒钟，此时电流值会上升〈代表汞灯点亮，开始消耗电流〉，马上放掉按键，汞灯即被点亮。
4.汞灯点亮后，至少须待机30分钟，使Lightsource系统稳定。假使汞灯无法点亮，请不要作任何修护动作。
5.待系统稳定后，把电源供应器上的电压、电流值填到纪录表上，每一次开灯使用都要登记作为纪录。
6.旋开光罩夹具之螺丝，光罩之正面〈镀铬面〉朝下，对准三个基准点，压下【MASKVAC.】键，使真空吸住光罩，再锁好螺丝以固定光罩。
注意：
*MASKHolder必须放下时才能放置光罩。扳动【MASKFRAMEUP/DOWN】可使MASKHolder升起或放下。
*先用氮气吹光罩和MASKHolder，光罩正面朝下，对准黑边铁框，手勿接触光罩，压下【MASKVAC.】键，使真空吸住光罩，锁上旁边两个黑铁边。
*检查放置芯片的圆形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩压破芯片。
7.扳起【MASKFRAMEUP/DOWN】键，使MASKHolder上升，放置芯片到CHUNK上，将【SUBVAC.】键扳至ON，使真空吸住芯片，扳下【MASKFRAMEUP/DOWN】键，使MASKHolder放下。
8.扳动台边钮(BallLockButton)为Unlock，顺时针方向慢慢旋转旋转钮(Zknob)，使芯片基座上升，直到传动皮带感觉已拉紧即可，然后逆时针旋转ZKnob约15格，扳动台边钮(BallLockButton)为Lock。
注意：
*Zknob每格约15microns。
*逆时针方向旋转Zknob，会使放置芯片基座下降，其目的是为了作对准时，让芯片和光罩有些许的距离，使芯片与光罩不会直接摩擦。
*若不须对准时，可以不使用逆时针方向旋转Zknob。
*旋转Zknob时，不论顺时针或逆时针转动，当皮带打滑时，代表芯片基座已和光罩接触，此时不可逆时针旋转，而导致内部螺栓松脱。
*CHUNK¨Z¨ADJUST一般为15A~20A之间，且电流越小皮带越松。
9.移动显微镜座，至光罩上方，作芯片与光罩的对准校正。如须调整芯片的位置，可使用芯片基座旁的微调杆，校正芯片座X、Y及θ。
10.
100SEC
1000SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光机面板左侧如下图：
注意：
*曝光秒数有两种设定，一种为1000SEC，一种为100SEC。当按下1000SEC时，计数器最大可设999秒的曝光时间;按下100SEC时，计数器最大可设99.9秒的曝光时间。
*再设定曝光秒数时要先测量汞灯的亮度，先按LAMPTEST再按住把手上的按钮移动基座至曝光机左端底，后然将OAI306UVPOWERMETER放置于CHUNK上即可，完毕后按RESET，而且可多测几个不同的位置，观看汞灯的亮度是否均匀，所测得的单位为mw/cm2，乘时间(SEC)即变可mJ的单位。
11.设定好曝光秒数后，即可进行曝光的程序。扳动【CONTACTVAC.】至ON，【N2PURGE】至ON，则芯片和光罩之间会产生些许的真空。
注意:
*【CONTACTVACADJUST】的范围一般为红色-25kpa左右。
12.按住把手上的按钮，此时基座才可移动，移至曝光机左端底，放开按钮，则曝光机会自动进行曝光的动作。
13.曝光完成后，即可将基座移回曝光机右端。扳动扳动【N2PURGE】为OFF。再扳动【CONTACTVAC.】至OFF，仪器会充氮气破光罩与芯片间的真空，方便使用者拿出芯片。
14.逆时针旋转Zknob，降下芯片基座至最低点。松开光罩固定的黑边铁框，拉起【MASKVAC.】钮，即可破除MASKHolder的真空，光罩即可取出。
15.扳起【MASKFRAMEUP/DOWN】为UP，使MASKHolder升起。扳动【SUBVAC.】为OFF，使用芯片夹取出芯片，再扳【MASKFRAMEUP/DOWN】为DOWN。
16.如须进行再一次的曝光，则可重复上述步骤。
17.完成所有的曝光程序后，先关掉显微镜光源产生器，再关掉汞灯电源供应器。〈关灯后一小时内不可再开启汞灯，已延长汞灯寿命〉
18.先关隧道式抽风马达电源，关掉曝光机的开关【SYSTEMON/OFF】为OFF，再关掉曝光机下方的延长线总开关。待曝光机冷却后，最后再关掉墙上氮气阀及空气阀。
热蒸镀机
使用操作方法
A.开机步骤
1.开机器背面的总电源开关。
2.开冷却水，需先激活D.IWater系统。
3.开RP，热机2分钟。
4.开三向阀切至F.V的位置，等2分钟。
5.开DP，热机30分钟(热机同时即可进行Sample之清洗与装载，以节省时间)。
B.装载
1.开Vent，进气之后立刻关闭。
2.开Chamber。
3.LoadingSample、Boat及金属。
4.以Shutter挡住Sample。
5.关Chamber，关门时务必注意门是否密合，因机器年久失修，通常须用手压紧门的右上角。
C.抽真空
1.初抽
(1)三向阀切至R.V位置(最好每隔几分钟就切换到F.V一下，以免DP内的帮浦油气分子扩散进入chamber中)。
(2)真空计VAP-5显示至5´10-2torr时三向阀切至F.V，等30秒。
2.细抽
(1)M.VON，记录时间。
(2)IONGAUGEON，压下Fil点燃灯丝(需要低于10-3Torr以下才抽气完成)。
D.蒸镀
1.压力约2´10-5Torr时，开始加入液态氮。
2.压力低于2´10-6Torr时，记录压力及抽气时间并关掉IONGAUGE。
3.HeaterPowerON(确定Power调整钮归零)。
4.选择BOAT1orBOAT2。
5.蒸镀开始，注意电流需慢慢增加。
注意:
*镀金时，仪表上电流约100A，镀Al时电流可稍微小些，约70~80A。
*当BOAT高热发出红光时，应立即关闭观景窗，以免金属附着在观景窗的玻璃上。
*空镀几秒将待镀金属表面清干净后即可打开Shutter，开始蒸镀。
*蒸镀完成后，立刻关闭HeaterPower，等10~15分钟让BOAT冷却及蒸镀后的金属冷却，避免立即和空气接触而氧化，才可vent破真空。
E.破真空
1.SubstrateHold温度需要降至常温。
2.IONGAUGE【POWER】OFF。
3.M.VOFF。
4.DPOFF冷却30~60分钟。
5.开Vent(进气后立刻关闭)。
6.开Chamber，取出Sample及BOAT。
7.关Chamber，注意将门关紧。
F.关机
1.关F.V。
2.开R.V，抽至0.01Torr之后关闭。
3.开F.V，30秒后三向阀切至关闭之位置。
4.RPOFF。
5.关总电源。
6.关冷却水。
7.关氮气。
注意：
*蒸镀时，电流应缓慢增大，且不可太大，以免金属在瞬间大量气化，使厚度不易控制。
*若接续他人使用，液态氮可少灌一点儿，约三分之一筒即可。
氧化炉管
使用操作方法
氧化炉管简介
本实验室所采用之氧化炉管为LentonLTF1200水平管状式炉子，可放2英吋硅晶圆，加热区大于50cm，最高温度可达1200°C并可连续24hr，最大操作温度为1150°C，温控方式采用PID微电脑自动温度控制器。
目的
将硅芯片曝露在高温且含氧的环境中一段时间后，我们可以在硅芯片的表面生长一层与硅的附着性良好，且电性符合我们要求的绝缘体-SiO2。
注意:
*在开启氧化炉之前，必须先确定【HEAT】Switch设定为【O】关闭的状态。Switch在有电源供应时【l】将会发光，而氧化炉也将开始加热。
*如果过温保护装置是好的，请确定警报点的设定于目前的使用过程中为恰当地。如果过热保护装置是好的，蜂呜器会有声音，在过温控制操作中有警报一致的程序。
*为了改善石英玻璃管或衬套热量的碰撞，其加热速率最大不能超过3°Cpermin。
*为了减少热流失，必须确定正确的操作程序，适当的使用绝缘栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。
*在操作氧化炉时不要在最大温度下关闭氧化炉，以延长氧化炉的寿命。
操作步骤:
1.检查前一次操作是否有异常问题发生，并填写操作记录。
2.检查机台状态
(1)控制面板状态：使用前先确定【HEAT】Switch设定为【O】关闭的状态。
(2)加热控制器:LentonLTF1200温度>400°C，前后段炉温差