纳晶真空等离子体系统
采用了系统优化的设计思想和多物理场计算机辅助设计手段。关键单元部件如高效率磁控阴极，电弧阴极，大束流等离子体源等具有国际先进水平(美国Nanocs)。系统具有专业化、模块化、标准化的特点。系统设计和制造与材料制备工艺紧密结合，使整机系统具有优良的性价比。可应用于高密度磁性存储器、传感器，薄膜电阻、电容、发光二极管、平面显示器、太阳能电池及各种功能薄膜的制备。
ü适于多种薄膜材料的沉积/刻蚀/表面处理，有强的适用性
ü系统工业生产延展性好，制备的相关材料和工艺可直接产业化
ü国际标准设计，模块化制造集成，有优良的性价比
样品表面：可实现等离子体在线清洗、处理等。
样品传输：采用真空阀锁，磁力杆传输。
超高真空系统：分子泵、机械泵、真空管道及阀门等。
真空测量：低、高复合真空计，数显、自动切换。
电源：直流及射频(13.56MHz，500-2000W)电源。
控制：手动/自动控制，计算机控制。
系统功能介绍
1、多靶磁控溅射沉积系统：
ü溅射方式：共聚焦沉积;垂直沉积;对向靶沉积。
ü磁控阴极：2，3，4英寸圆形磁控阴极，矩形大尺寸磁控阴极。
ü沉积材料：金属薄膜,合金薄膜,多层薄膜，磁性薄膜，金属氧化物、氮化物、碳化物等。
ü真空室：主真空室，辅助真空室，样品安装、传动、切换。
2、多功能磁控等离子体系统：
薄膜材料沉积,刻蚀;纳米材料沉积;材料表面等离子体处理等
ü等离子体化学气相沉积(PECVD):硅基和碳基薄膜材料(纳米管、类金刚石、氧化硅、氮化硅等的沉积);
ü材料的表面等离子体清洗、处理等;
3、多功能等离子体实验系统：
集磁控溅射和过滤阴极电弧等离子体沉积功能为一体，小型化，高效，高性价比。
4、脉冲激光等离子体系统：
采用准分子脉冲激光等离子体制备各种薄膜和纳米粉体。
5、过滤阴极电弧等离子体沉积系统：
高速制备薄膜和纳米粉体，粒子离化率极高，束流大。
6、离子源辅助沉积刻蚀系统：
采用霍尔离子源，用于薄膜沉积，等离子体处理，清洗及辅助沉积。
7、高密度等离子体表面处理系统：
采用感应式射频(ICP)或微波源产生高密度等离子体，高效低温等离子体表面氮化、碳化和大面积离子注入。
薄膜技术在光电器件、半导体器件、微电子学等重要领域中,都有着广泛的应甩,并起着关键作用。近几年来,薄膜技术发展很快,,相继出现了等离子CVD、光CVD、微波CVD等先进的成膜技术。ECR等离子CvD就是在这些技术的基础上,新开发出来的更先进的成膜技术。ECR等离子CvD是电