T曲线和t图法原本是根据VI型等温线计算孔径分布时为了估算孔壁上吸附层厚度提出的，如果只是研究与标准等温线的偏离情况，则不需要吸附厚度t和吸附系数ν/νm。此外，在BET公式不成立时也不能计算单分子层吸附量νm。因此，Sing提出用某个相对压力(P/Po)S的吸附量νs代替单分子层吸附量νm，实际中采用P/Po)s=0.4时的吸附量ν¬¬0.4。把吸附量ν/ν¬¬0.4叫做αs，根据标准试样的吸附等温线求得αs的值，作αs-P/Po图，即得标准αs曲线。与t图法一样，根据标准αs曲线就可以绘制待测固体αs图，即吸附量ν-αs图。如果αs图是过原点的直线，说明待测固体的等温线与标准等温线一致。这时直线的斜率等于ν¬¬0.4.αs图法的优点是即或不知道吸附层厚度也能使用，同时还适合于氮以外的吸附质。
对于没有微孔的固体，αs图与t图一样是过原点的直线，其斜率为s。固体中存在的中孔和微孔，αs图就偏离直线。设标准试样的比表面积为A(standard)，由αs图的斜率s能够计算试样的比表面积AS，因为：
s(试样)/s(标准)=ν¬¬0.4(试样)/ν¬¬0.4(标准)=AS/A(标准)----1
所以，
As=*A(标准)----2
如果已知标准样的A(标准)，由式2可求得试样的比表面积As.这种方法不需要单分子层吸附量νm或吸附质分子的占有面积αm，当BET图的直线线性差或者B点不明显或不知道正确的αm值时就可以采用αs图测量比表面积。经常采用氮吸附测量比表面积和孔径结构。
固体中含有中孔和微孔时，αs图与t图一样出现直线弯折，其解析也类似。由于采用大型计算机进行吸附模拟需要许多假定和参数，分子模拟法还存在许多问题，因此t图法、αs图法以及Duninin方法、分子探针法等作为微孔解析方法更接近于实际，目前仍是最好的方法。