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多晶硅发射极晶体管
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多晶硅发射极晶体管
多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，如这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
多晶硅是用于太阳能电池、半导体、液晶显示屏等方面的重要材料..而掺杂的多晶硅膜则可用作双极晶体管的发射极和MOS器件的栅极.用重掺杂多晶硅作为CMOS晶体管的栅极和NPN晶体管的发射极，可以获得较薄的结深，减小栅极和发射极的寄
data/attachment/portal/201111/06/143312l011x1x1x51zctbo.jpg多晶硅发射极晶体管
生参数，从而提高器件的速度性能。采用薄栅氧化层（35nm）和栅与源漏的自对准结构，减小器件的寄生参数，获得更高性能的CMOS晶体管。
获得多晶硅膜的方法很多,在半导体器件和集成电路工艺中,低压气相淀积(LPCVD)是一种重要的方法.LPCVD是用加热的方式在低压(50-133Pa)条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积,形成稳定固体薄膜如多晶硅、氮化硅、氧化硅等，广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
采用多晶硅发射极双极工艺，可以提高晶体管的电流增益，减小管子上升和下降时延，改善其频率特性。而采用离子注入砷掺杂多晶硅作为砷掺杂发射极扩散源技术改善晶体管性能。国外现代高频和微波功率晶体管已普遍采用多晶硅发射极来提高其性能和可靠性.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率，高的电流能力，改善了EB击穿和CB击穿。下图是集成电路中的多晶硅发射极晶体管的结构图.
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http://baike.eccn.com/eewiki/index.php/%E5%A4%9A%E6%99%B6%E7%A1%85%E5%8F%91%E5%B0%84%E6%9E%81%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1