晶体管阈值电压（Thresholdvoltage）：
场效应晶体管（FET）的阈值电压就是指耗尽型FET的夹断电压与增强型FET的开启电压。
（1）对于JFET：
耗尽型JFET的沟道掺杂浓度越高,原始沟道越宽，则夹断电压就越高；温度升高时，由于本征载流子浓度的提高和栅结内建电势的减小,则夹断电压降低。
对于长沟道JFET，一般只有耗尽型的器件；SIT（静电感应晶体管）也可以看成为一种短沟道JFET，该器件就是增强型的器件。
（2）对于MOSFET：
*增强型MOSFET的阈值电压VT是指刚刚产生出沟道(表面强反型层)时的外加栅电压。
①对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs=0时，半导体表面的能带为平带状态），阈值电压可给出为VT=(SiO2层上的电压Vi)+2ψb=－/Ci+2ψb,式中Vi≈(耗尽层电荷Qb)/Ci，Qb=－(2εεoqNa)，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。
②对于实际的增强型MOSFET，由于金属-半导体功函数差φms和Si-SiO2系统中电荷的影响,在Vgs=0时半导体表面能带即已经发生了弯曲，从而需要另外再加上一定的电压——“平带电压”才能使表面附近的能带与体内拉平。
因为金属-半导体的功函数差可以用Fermi势来表示:φms=(栅金属的Fermi势ψG)－(半导体的Fermi势ψB),ψb=(kT/q)ln(Na/ni)，对多晶硅栅电极(通常是高掺杂)，ψg≈±0.56V。而且SiO2/Si系统内部和界面的电荷的影响可用有效界面电荷Qf表示。从而可给出平带电压为Vfb=φms－Qf/Ci。
所以，实际MOSFET的阈值电压为VT=－/Ci+2ψb+φms－Qf/Ci。
进一步，若当半导体衬底还加有反向偏压Vbs时，则将使沟道下面的耗尽层宽度有一定的增厚,从而使阈值电压变化为：VT=－/Ci+2ψb+φms－Qf/Ci。
在制造MOSFET时，为了获得所需要的VT值和使VT值稳定，就需要采取若干有效的技术措施；这里主要是控制Si-SiO2系统中电荷Qf：其中的固定正电荷(直接影响到VT值的大小)与半导体表面状态和氧化速度等有关(可达到