当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。但正向电压很低时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，此时正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.3）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。
理想二极管：死区电压=0，正向压降=0
实际二极管：死区电压为0.5V，正向压降为0.6~0.7V(硅二极管)
锗管死区电压约0.1V，正向压降为0.2~0.3V