QT2型晶体管图示仪
作业指导书
特别提示：
由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。
一、使用前的注意事项：
1、严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；
2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；
3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；
4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；
5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；
6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；
电压档次10V50V100V500V5KV
允许最大电流50A10A5A0.5A5MA
在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。
二、测试前的开机与调节：
1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；
2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；
3、Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；
4、对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y（或X）方式开关自“I”至“校准”，此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（调节W）；
5、阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零；
调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“”）档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN”，置于“常态”，阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“”的重合即完成了调零步骤；
6、电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；
7、集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。
三、测试：
1⑴、若发射极VCE-IC特性（基极信号为变量）。
①根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN（此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP（此时集电极电压，基极电压均为负）并将“”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置”；
②被测管的C.B.E按规定进行连接；
③将Y电流/度置于IC合适档级，X电压/度置于UC合适档级；
④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；
⑤集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合；
⑥选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值；
⑦选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要求进行选择；
⑧观察显示的曲线（波形），并进行读数记录；
（2）、其发射极IB-IC特性：
①根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级，并将“”开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置；
②被测管的CBE按规定进行连接；
③将Y电流/度置于IC合适档级，W电压/度置于“”的档级；
④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；
⑤集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X电压/度置于UC档级进行较精确的调节）；
⑥将Y。Y方式开关““调节零点位置；
⑦选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值；
⑧对所显示的IB-IC曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算NFE值：
NFE=IC/IB
IC=示波管刻度×档次读数
IB=幅度/级×级数
⑵、①反压特性测试及二极管特性测试：
本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表：
VCBO集电极基极间电压（发射极开路）
VEBO发射极与基极间电压（集电极开路）
VCEO集电极与发射间电压（基极开路）
VCER集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）
VCES集电极与发射间电压（基极与发射极短）
①根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置，是显示“PNP”位置时，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN”位置时，集电极电压为（=）极性；
②被测管的CBE接上表的连接方法进行连接；
③Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般100/UA度档级）；
④Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）；
⑤将功耗限制电阻置于较大档级（一般置于10KΩ-100KΩ之间）；
⑥选择测试A、B的位置；
⑦选择合适的电压档级，峰值电压调为零，当测试时再按顺时针方向徐徐加大输出电压；
2、本仪器提供了两种测试二极管特性的手段，当反压<500V电流<5MA时可在上述的三极管测试中，利用C、E两端进行正向和反向测试，当电压>500V电流>5MA时，可在专用的二极管测试扦孔进行测试。
在<500V二极管测试中电压极性也由测试选择开关进行转换，当置于“NPN”档级时，其集电极扦孔为正电压，置于“PNP”档极时，集电极扦孔为负电压，而在5000V二极管测试中其输出扦孔电压极性不变。
现将二极管测试部分的方法介绍如下：
①通过二极管测试盒与仪器二极管测试孔相连，被测管接面板所示的二极管极性与测试孔相连，<500V用三极管测试的C、E孔与二极管相连；
②选择合适后电压档级，5KV时用二极管测试端测量，此时必先将峰值电压逆时针方向旋转至零；
③半Y电流/度置于10范围内的合适档级，并将X电压/度置于UD范围内后合适档级；
④按入“测试”按钮，（5KV测试时），并徐徐缓慢升高峰值电压直至要求值或二极管击穿电流超过规定值的电压时止；
⑤对示波器所显示的曲线（波形）进行观察、读取、记录；
⑥由于测试扦孔中具有高压，因此测试前后都必须将峰值电压调零，电压档按至最小档。
⑶、场效应管特性测试：
场效应管的测试可根据需要对漏源电流（IDS），最大漏源电流（IDSM）饱和漏源电流（IDSS）夹断电压（VP）跨号（PM）最大电源电压（BVDS）等参数进行测试；
①根据P沟道或N沟道的具体管型分别将测试选择开关置于PNP或NPN，并将“”开关置于“倒置”，必要时也可置于“常态”；
②被测管的D接C、G接B、S接E；
③将Y电流/度置于IC合适档级（实际为IDS值），X电压/度开关置于UC合适档级（实际为UDS值）；
④测试A与测试B搬向被测管的一边；
⑤按照UDS要求值调节集电级峰值电压值，并调节使在左下方（N沟诞）或右上方（P沟诞）的示波器零刻度重合；
⑥选择合适的阶梯幅度/级开关置于电压/级较小档级再逐渐加大至要求值；
⑦选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可按负载的要求或保护被测管的要求进行选择；
⑧对所显示的VDS-ID曲线波形进行读数或记录、观察；
⑨如需要显示VGS-ID曲线可将X电压/度置于“”档级。
⑷、可控硅特性测试：
可控硅的测②试可根据需要对正向阻断峰值电压（PEV），正向漏电流（IPF），反向阻断峰值电压（PRV）反向漏电流（IR），控制极可触发电压（VGT），控制极可触发电流（IGE）正向电压降（VF）条参数进行测试。
①将测试选择开关置于NPN，并将“”开关置于“常态”；
②被测管的A接C、G接B、C接E；
③将Y电流/度开关置于IC范围内的合适档级（实际为IF值）；X电压/度开关置于UD合格档级（实际上UA值）；
④测试A与B搬向被测管的一边；
⑤选择合适的功耗限制电阻（要求>0Ω），以免电流过大而使被测管烤坏；
⑥按照VAC的要求值调节集电极峰值电压值，使显示值与右下方的零刻度重合；
⑦选择合适的阶梯幅度/级开关置于电压/级的较小档级，再逐渐加大至达到可触发点；
⑧对显示的VA-IF曲线（波形）进行观察、读取及记录；
⑨如需要显示IGT-VGT曲线可将X电压/度置于VBE档级，Y电流/度置于“”档级。
以下例举各种正常与非正常曲线（波形）以你供参考：