日本Stack电子开发出了可准确测量微小电场分布状态的光外差法光电效应电场探测器“LEO-Probe”.该产品采用日本信息通信研究机构（NICT）转让的技术开发，适用于电子设备的EMC测量、天线附近的电场测量、开发高频电路时的验证作业、高速/高密度电路的放射电场测量以及超高速半导体的运行状态分析等。
目前，无线通信的使用频率日益增高，而且随着以个人电脑为代表的电路运行速度的提高，越来越多的用户希望能够测量电磁场的强弱并了解其影响。人们通常采用以较小的金属导体环形天线（LoopAntenna）等测量的方法，但这种方法存在想要测量的电磁场状态会因金属导体接近而发生改变的缺陷。
此次开发的探测器则不存在这种缺陷，其特点是，可在几乎不影响测量电场的情况下，测量出微小电场的状态。此次利用了对特殊结晶材料施加电场时结晶材料的光折射率会发生改变的光电（EO）效应，由于测量部分没有使用金属导体，因此可在几乎不破坏电场的情况下进行测量。另外，还采用了可在结晶材料内部通过光学频率转换使其产生中间频率的光外差技术，从而能以较低的频率完成信号处理。能以较高的灵敏度稳定地检测出高频信号。
为了便于携带，探测器实现了顶端部直径约8mm、不含光纤部的长度约65mm的外形尺寸。通过聚集导入结晶材料的光，实现了100μm以下的测量分辨率。
此次开发试制的机型具备60MHz~2.5GHz的可检测频率范围。预计今后会将最高频率扩大至数THz.该公司计划在2009年度底之前改进该产品，使其能够检测出40GHz左右的高频信号。
另外，Stack电子还计划在11月25日~27日于日本太平洋横滨会展中心举行的“微波展2009”上展出此次的试制机。