1月11日，中国科学院外籍院士、佐治亚理工学院王中林教授“武汉光电国家实验室(筹)海外主任”的受聘仪式在华中科技大学举行。王中林院士郑重地从华中科技大学校长、武汉光电国家实验室(筹)理事长李培根院士手中接过聘书。
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王中林是国际纳米科技领域具有重要学术影响的科学家。他的研究具有原创性，前瞻性和引领性。近年来，他在纳米材料可控生长、表征和应用等多方面取得了多项有国际重要影响力的原创性研究成果。同时，王中林院士长期致力于推进中美在相关领域科技、教育的交流，自1992年以来不遗余力地促成中美在相关领域多方面的合作，鼎力帮助扩大中国科技界在国际科学舞台的知名度和影响力。
聘任海外主任，是武汉光电国家实验室(筹)进一步推进与加强光电国家实验室的国际交流与合作，提升其国际影响力以及加快实现光电国家实验室战略目标的重要举措。
王中林简介
王中林博士是佐治亚理工学院终身校董事教授(Regents’Professor)，工学院杰出讲席教授(COEDistinguishedProfessor)。王中林是中国科学院外籍院士，欧洲科学院院士，曾荣获了美国显微镜学会1999年巴顿奖章，佐治亚理工学院2000和2005年杰出研究奖，2005年SigmaXi学会持续研究奖，2001年S.T.Li奖金(美国)，2009年美国陶瓷学会Purdy奖，美国自然科学基金会CAREER基金，中国首批国家自然科学基金会海外优秀青年科学家基金，教育部“长江”特聘讲席教授。
王中林是美国物理学会fellow，美国科学发展协会(AAAS)fellow，美国材料学会fellow。王中林已在国际一流刊物上发表了610篇论文(其中十三篇发表在美国《科学》和英国《自然》期刊上)，43篇书章节，二十项专利，四本专著和二十本编辑书籍和会议文集。他已被邀请做过600多次学术讲演和大会特邀报告。他的学术论文已被引用三万二千次以上。他论文被引用的H因子(h-index)是87。
王中林是国际纳米科技领域具有重要学术影响的科学家。他的研究具有原创性，前瞻性和引领性。他最近的工作主要集中在纳米能源技术，氧化锌纳米材料的合成，表征，生长机理和应用，纳米传感器和新型器件的原理和应用，以及基于光纤的三维隐蔽型太阳能电池。