传感器对普通消费者来说可能现在已不再陌生了，因为随着科技发展的日新月异，传感器已经更加人性化，遍布我们生活和工作的各个领域，对我们的生活也产生的深远的影响。现今DDR3存储器已基本取代了上一代的DDR2存储器，不但拥有更高的性能而且功耗较上一代也有所下降，产生这种现象不得不说其中采用的新型温度传感器起着很关键的作用。
2008年12月4日，安森美半导体推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，用于高速个人电脑(PC)和膝上型电脑、显卡、服务器、电信设备和基站、环境控制系统及工业处理控制设备中的第三代双倍数据率(DDR3)应用。
CAT34TS02符合电子元件工业联合会(JEDEC)的JC42.4规范，在3.0至3.6伏(V)器件电源电压范围内，75°C至95°C和+20°C至+100°C工作温度范围时分别提供±1°C和±3°C的温度传感精度。它能够每秒测量和记录系统温度近10次，并将相关读数与内部存储器寄存器中存储的3个触发限制值进行比较。主系统能够通过I2C/SMBus接口检索读数，而开漏事件引脚会发出高出限制值或低于限制值条件的信号。
对于通用温度传感器应用而言，将温度传感器与非易失性EEPROM集成在一起，消除了使用外部存储器来存储传感器和阈值配置信息的需要。此外，CAT34TS02的非易失性存储器在上电时会保留定制配置传感器和阈值，从而提供简单、节省空间和高性价比的解决方案。
集成的2KbSPDEEPROM内部组织为16页，每页16字节，总计256字节。这EEPROM具有16字节页写缓冲，支持标准(100kHz)和快速(400kHz)I2C协定，并具备所有DDR3双列直插存储器模块(DIMM)定义为标准的永久及可逆软件写保护功能。
产品特性
•12位数字温度传感器，带2Kb集成串行存在检测(SPD)EEPROM
•符合JEDEC针对DDR3DIMM存储器模块的JC42.4规范
•工作温度范围：+20°C至+100°C
•电源电压：3.0V至3.6V
•I2C/SMBus接口
•封装：8焊垫TDFN(2mmx3mm)