中图晶圆关键尺寸及套刻量测系统，可以对Wafer的关键尺寸进行测量，对套刻偏移量的测量，以及Wafer表面3D形貌、粗糙度的测量，包括镭射切割的槽宽、槽深等自动测量。300*300mm真空吸附平台，可支持12寸Wafer的自动测量。配置扫描枪等，可满足产线的全#自动化#生产需求。

系统的布局结构
1.上/下料区：Robot自动抓取Wafer至寻边器平台；
2.定 位 区：寻边器对Wafer自动轮廓识别，旋转校正到设定姿态；
3.测 量 区：自动测量平台，包含2D和3D量测模组，内部有温湿度监控及除静电装置；

一、上/下料区：Robot自动上下料区

图1. Robot自动上下料区

二、定 位 区：寻边器自动识别出wafer轮廓，旋转校正到设定姿态。

图2. Robot将Wafer放在寻边器上

图3. 自动识别出wafer轮廓

三、测 量 区：自动测量平台

图4. 自动测量平台

四、应用案例
1.Wafer关键尺寸、套刻偏移量测量

图5. Wafer关键尺寸测量

图6. 套刻偏移量测量

2.镭射切割槽测量

图7. Wafer镭射槽

图8. 镭射槽3D图像

图9. 镭射槽测量数据

3.表面粗糙度测量

图10. Wafer减薄片

图11. 研磨后3D图像

图12. 粗糙度测量数据


关键尺寸及套刻量测系统可以根据不同需求定制。