中图晶圆关键尺寸及套刻量测系统轻松测量Wafer的关键尺寸

  szzhongtu5 ·  5 个月前  ·  16967 次点击
中图晶圆关键尺寸及套刻量测系统,可以对Wafer的关键尺寸进行测量,对套刻偏移量的测量,以及Wafer表面3D形貌、粗糙度的测量,包括镭射切割的槽宽、槽深等自动测量。300*300mm真空吸附平台,可支持12寸Wafer的自动测量。配置扫描枪等,可满足产线的全#自动化#生产需求。

系统的布局结构
1.上/下料区:Robot自动抓取Wafer至寻边器平台;
2.定 位 区:寻边器对Wafer自动轮廓识别,旋转校正到设定姿态;
3.测 量 区:自动测量平台,包含2D和3D量测模组,内部有温湿度监控及除静电装置;

一、上/下料区:Robot自动上下料区

图1. Robot自动上下料区


二、定 位 区:寻边器自动识别出wafer轮廓,旋转校正到设定姿态。

图2. Robot将Wafer放在寻边器上


图3. 自动识别出wafer轮廓


三、测 量 区:自动测量平台

图4. 自动测量平台


四、应用案例
1.Wafer关键尺寸、套刻偏移量测量

图5. Wafer关键尺寸测量


图6. 套刻偏移量测量


2.镭射切割槽测量

图7. Wafer镭射槽


图8. 镭射槽3D图像


图9. 镭射槽测量数据


3.表面粗糙度测量

图10. Wafer减薄片


图11. 研磨后3D图像


图12. 粗糙度测量数据



关键尺寸及套刻量测系统可以根据不同需求定制。

0 条回复

暂无讨论,说说你的看法吧!

 回复

你需要  登录  或  注册  后参与讨论!