芯片高低温#测试设备#性能指标保护措施：
　　1、可靠的#接地#保护装置
　　2、电源欠压，缺相保护
　　3、du立工作室超温保护
　　4、保护制冷机超压、过载、油压欠压；
　　5、加热器短路，过载保护
　　6、漏电保护，报警声讯提及
　　芯片高低温#测试设备#规格型号及技术参数：
1. 温度范围：
-20~+150℃/-40~+150℃/-50~+150℃/-60~+150℃/-85~+150℃。
　　2.控制稳定性：±0.5℃
　　3.均匀分布：±1.5℃
　　4.正常加热时间：-+20℃~+150℃小于45分钟的非#线性#空载。
　　5.正常降温时间：+20~-20℃小于45分钟/+20~-40℃小于60分钟/+20~-50℃小于65分钟.
　　+20~-60℃小于70分钟/+20~-70℃小于75分钟/20~-85℃小于100分钟.
　　适用于#测试#:锂离子、镍氢、镍镉、铅酸、金属氢化物镍等单体电池和电池组，按标准GB897.4-200(idtiEC6086-4：2000)原电池第四部分：锂电池要求、GB897.5-2006：2005)《原电池第五部分：水溶液电解质电池要求》、IEC62133：2002年《碱性或其他非酸性电解质二次单体电池及电池组#便携式#密封二次单体电池及电池组要求》、IEC61951-1：2003年《含碱性或其他非酸性电解质的#便携式#密封可再充电电池及电池组di一部分：
　　芯片高低温#测试设备#执行标准：
　　1.GB10586-2006湿热#试验箱#技术条件
　　2.GB10589-2008低温#试验箱#技术条件
　　3.GB10592-2008芯片高低温#测试设备#技术条件
　　4.GB1158-2006高温#试验箱#技术条件
　　5.GBA2423.1-2001#测试#A：低温试验方法
　　6.GBB2423.2-2001试验B：高温试验方法
　　7.GB(T243.3-1993试验Caaaa:恒定湿热试验
      8.GBDB#测试#/T243.4-1993：交变湿热试验方法


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