芯片高低温测试所需设备参数及标准

  labcompanion ·  11 个月前  ·  24457 次点击
芯片高低温#测试设备#性能指标保护措施:
  1、可靠的#接地#保护装置
  2、电源欠压,缺相保护
  3、du立工作室超温保护
  4、保护制冷机超压、过载、油压欠压;
  5、加热器短路,过载保护
  6、漏电保护,报警声讯提及
  芯片高低温#测试设备#规格型号及技术参数:
1. 温度范围:
-20~+150℃/-40~+150℃/-50~+150℃/-60~+150℃/-85~+150℃。
  2.控制稳定性:±0.5℃
  3.均匀分布:±1.5℃
  4.正常加热时间:-+20℃~+150℃小于45分钟的非#线性#空载。
  5.正常降温时间:+20~-20℃小于45分钟/+20~-40℃小于60分钟/+20~-50℃小于65分钟.
  +20~-60℃小于70分钟/+20~-70℃小于75分钟/20~-85℃小于100分钟.
  适用于#测试#:锂离子、镍氢、镍镉、铅酸、金属氢化物镍等单体电池和电池组,按标准GB897.4-200(idtiEC6086-4:2000)原电池第四部分:锂电池要求、GB897.5-2006:2005)《原电池第五部分:水溶液电解质电池要求》、IEC62133:2002年《碱性或其他非酸性电解质二次单体电池及电池组#便携式#密封二次单体电池及电池组要求》、IEC61951-1:2003年《含碱性或其他非酸性电解质的#便携式#密封可再充电电池及电池组di一部分:
  芯片高低温#测试设备#执行标准:
  1.GB10586-2006湿热#试验箱#技术条件
  2.GB10589-2008低温#试验箱#技术条件
  3.GB10592-2008芯片高低温#测试设备#技术条件
  4.GB1158-2006高温#试验箱#技术条件
  5.GBA2423.1-2001#测试#A:低温试验方法
  6.GBB2423.2-2001试验B:高温试验方法
  7.GB(T243.3-1993试验Caaaa:恒定湿热试验
      8.GBDB#测试#/T243.4-1993:交变湿热试验方法


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