芯片研发过程中的ke靠性测试有哪些

  labcompanion ·  11 个月前  ·  22780 次点击
一、芯片ke靠性#测试#比常见的几种试验:
加速#测试#:在半导体器件中,常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。在大多数情况下,加速#测试#不改变故障的物理特性,但会改变观察时间。加速条件和正常使用条件之间的变化称为“降额”。高加速#测试#是基于 JEDEC 的资质认证#测试#的关键部分。
温度循环:根据 JED22-A104 biao准,温度循环 (TC) 让部件经受极端高温和低温之间的转换。进行该#测试#时,将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。
高温工作寿命HTOL:HTOL 用于确定高温工作条件下的器件ke靠性。该#测试#通常根据 JESD22-A108 biao准长时间进行。
温湿度偏压高加速应力#测试#BHAST:根据 JESD22-A110 biao准,THB 和 BHAST 让器件经受高温高湿条件,同时处于偏压之下,其目标是让器件加速腐蚀。THB 和 BHAST 用途相同,但 BHAST 条件和#测试#过程让ke靠性团队的#测试#速度比 THB 快得多。
热压器/无偏压HAST:热压器和无偏压 HAST 用于确定高温高湿条件下的器件ke靠性。与 THB 和 BHAST 一样,它用于加速腐蚀。不过,与这些#测试#不同,不会对部件施加偏压。
高温贮存:HTS(也称为“烘烤”或 HTSL)用于确定器件在高温下的长期ke靠性。与 HTOL 不同,器件在#测试#期间不处于运行条件下。
 
静电放电ESD:静电荷是静置时的非平衡电荷。通常情况下,它是由#绝缘#体表面相互摩擦或分离产生;一个表面获得电子,而另一个表面失去电子。其结果是称为静电荷的不平衡的电气状况。
当静电荷从一个表面移到另一个表面时,它便成为静电放电 (ESD),并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。
当静电荷移动时,就形成了电流,因此可以损害或破坏栅极氧化层、金属层和结。
 
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