传感器的基础效应
FLUKE · 2012-07-13 09:22 · 27030 次点击
传感器基础效应
光电效应--(可制作各种光电器件,位移,振动,转速传感器传感器)
外光电效应--(可制作光电管、光电倍增管传感器)
面效应
体效应
内光电效应
光电导效应--(可制作光敏电阻(光电导管)传感器)
光生伏特效应--(可制作光电池、光敏二极管、光敏三极管和半导体位置敏感器件传感器)
侧向光生伏特效应(殿巴效应)--(可制作半导体位置敏感器件(反转光敏二极管)传感器)
PN结光生伏特效应--(可制作光电池、光敏二极管和光敏三极管传感器)
光磁电效应(PME效应)
贝克勒尔效应--(可制作感光电池传感器)
电光效应--(可制作光导纤维传感器传感器)
线性电光效应(泡克尔斯效应)--(可制作电光调制器、电光开关、光纤电压、电场传感器传感器)
平方电光效应(电光克尔效应)--(可制作光导纤维传感器传感器)
光弹性效应--(可制作压力传感器、振动传感器、声传感器传感器)
电致发光效应--(可制作发光二极管、半导体激光器传感器)
磁光效应--(可制作光纤传感器传感器)
磁光法拉第效应--(可制作光纤传感器传感器)
磁光克尔效应--(可制作光纤传感器传感器)
科顿-蒙顿效应
磁电效应
霍尔效应--(可制作霍尔元件,接近开关,位置位移传感器,转速传感器等传感器)
磁阻效应--(可制作磁阻传感器,磁编码器,角度传感器传感器)
物理磁阻效应
形状磁阻效应
强制磁阻效应
定向磁阻效应
热电效应--(可制作热电偶传感器)
珀尔帖效应--(可制作用于控制半导体激光器温度的制冷器传感器)
汤姆逊效应
塞贝克效应(温差电效应)--(可制作热电偶传感器)
热释电效应--(可制作红外探测器、温度传感器、热成像器件传感器)
热磁效应
横向能斯脱效应
纵向能斯脱效应(电气纵向效应)
热磁横向效应(里纪-勒杜克效应)
热磁纵向效应
压电效应--(可制作力、压力、振动、加速度传感器,超声波探头、声表面波(SAW)传感器、陀螺传感器)
正压电效应--(可制作压电式力、压力、振动、加速度传感器,压电超声波探头,压电声表面波SAW传感器,压电陀螺传感器)
纵向压电效应
横向压电效应
切向压电效应
逆压电效应--(可制作超声波发生器,声发射传感器,压电扬声器,晶振传感器)
压阻效应--(可制作压阻式压力、加速度、重量、应变、拉力、流量、真空度传感器传感器)
电致伸缩效应
磁致伸缩效应--(可制作可制成电声器件、超声波发生器、光纤式传感器传感器)
正磁致伸缩效应(焦耳效应)--(可制作电声器件、超声波发生器、光纤式传感器(调制单模光纤长度)传感器)
压磁效应(逆磁致伸缩效应)--(可制作压磁式力、压力、力矩、重量传感器传感器)
威德曼效应--(可制作扭矩传感器、力传感器传感器)
逆威德曼效应--(可制作扭矩、力传感器传感器)
隧道效应
超导体隧道效应(约瑟夫逊效应)--(可制作红外传感器,绝对温度计,超导量子干涉器件SQUID传感器)
直流约瑟夫逊效应--(可制作超导量子干涉器件SQUID、测量如人体心脏和脑活动所产生的微小磁场变化传感器)
交流约瑟夫逊效应
加直流电压辐射电磁波--(可制作V—F变换器传感器)
加交/直流电压输出直流信号--(可制作量子型高精度高灵敏度(10E-19V)电压传感器、远红外高速高灵敏光传感器、温度传感器传感器)
核磁共振--(可制作磁传感器,超精密温度传感器传感器)
光相关效应
光多普勒效应--(可制作速度、流速、流量传感器,如光纤式血液流速传感器、激光多普勒超低速(1cm/h)传感器、超音测量传感器传感器)
萨古纳克效应--(可制作环形激光陀螺、光纤陀螺传感器)
喇曼效应
派生喇曼Raman效应
布里渊效应
派生布里渊Brillouin效应
声波相关效应
声多普勒Doppler效应--(可制作超声流速计传感器)
声电效应--(可制作超声信号放大器、声电振荡器传感器)
声光效应--(可制作声光偏转器、光调制器、声光Q开关、光纤式声传感器传感器)
声磁效应(磁声效应)
德.哈斯-板.阿尔芬效应
碰撞-阻尼效应
ΔE效应
遮掩效应
衍射效应
射线相关效应--(可制作光纤放射线传感器传感器)
γ射线光电效应
X射线相关效应
吸收效应
原子序号效应
俄歇效应
康普顿效应
纬度效应
击波动态效应
动态电学效应--(可制作瞬态压力传感器传感器)
动态光学效应
动态磁学效应
半导体表面效应
半导体吸附效应--(可制作气敏传感器传感器)
半导体表面场效应--(可制作绝缘栅场效应管同,气敏、离子敏、生物敏等半导体场效应化学传感器传感器)
化学相关效应
科顿效应
中性盐效应
一次效应
二次效应
饱和效应
电泳效应--(可制作蛋白质分析传感器传感器)
贝克.纳赞效应
彼得效应
努森效应