1.光敏电阻工作原理
构成光敏电阻的材料有金属硫化物、硒化物以及蹄化物等半导体。
半导体的导电能力取决于自身载流子的多少。当光透过透明窗照射到梳状电极上时，若光子能量hf大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收能量后跃迁到导带，成为自由电子，同时产生空穴。电子一空穴对的不断增加，则使半异体的正向电阻迅速变小。光照越强，产生的电子一空穴对越多，其电阻下降越快。入射光消失，电子一空穴对因电极性相反而逐渐复合，电阻随之逐渐恢复原值。
2.光敏电阻的特性与参数
(1)暗电阻。将光敏电阻至于室温，无光照条件下，用精密惠斯登电桥测得的稳定电阻值称为暗电阻，通常大于1M欧姆。光敏电阻受温度影响较大，温度上升，暗电阻及测量灵敏度下降。
(2)光电特性。当光敏电阻两电极问施加电压不变时，光照度与电阻及电流问的关系称为光电特性。一般光电特性曲线如图21-5所示。
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从图21-5(a)中可看出，当光照度大于l00勒克斯时，光敏电阻的光电特性已成严重非线性。而光照度为100-150勒克斯是通常所说的标准照度，所以光敏电阻不能用于光的精密测址，只能定性说明有无光照或照度是否大于小于某一设定值。
(3)响应时间。从图21-5(b)还可以看出，光敏电阻接受光照后其光电流需经过一段时间才可达到某一稳定位，光照消失后也要经过一段时问才可恢复到暗电流，这说明光敏电阻有时延性，所以光敏电阻不能用于快速响应的控制回路。
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