医用直线加速器高压部分产生速调管用的高压，它由高压变压器，脉冲变压器，高压二极管，氢闸流管CX1159，充电电感，四极管Y475和辅助电路等构成，有4×104V的直流高压。本文介绍在高压部分产生的2个较典型的故障，其解决方法供同行参考。
故障现象1
出现连锁DOSERATE(SW)，正常X线出束被中断。
检修过程进行所有硬件旁路，出束，用双踪数字示波器在BNCBOX上检测相关波形，如PULSE-I(释放给速调管的RF脉冲电流)，INJ-I(反映电子枪发射电子的数量)，RF-REFL(微波反射功率波)，BEAM-I(由靶检测到的束流)。观测后得不到PULSEI图像。
据维修经验，总结产生此故障的原因可能有(1)闸流管老化;(2)四极管灯丝电压异常;(3)高压变压器电压不正常。
关机进入速调柜机房，机房内有焦糊味。重新开机，发现K4F1(8A)保险丝指示灯发亮，熔断的现象。
第一步检查闸流管CX1159：可以肉眼先判断闸流管启辉光的颜色是否为蓝色。(TP7接地)。(1)灯丝电压，TP2与TP3为6.55V;(2)TP4=+18.11V，TP6=+235V，TP5=–156V，TP1=–156V。从以上数据可以看出闸流管工作正常。
第二步检查四极管Y475：6脚接地。(1)TB2上，5-6(ScreenGrid)=+0V，7-6(ControlGrid)=–0V，4~1(Filaments)=8.4VacTP1(LightTubeBiasOff)=–440V;(2)拆下光电管的一端，用微弱手电光快速照射光纤(手电光不能持续照射1s以上，否则会损坏四极管)的同时，测TP1的动态电压，为+10Vdc(BiasedOn);(3)测四极管内部各电阻、电容、二极管，结果都为正常，观察到内腔有焦碳迹象，用无水酒精擦洗后安装回基座。所测数据显示四极管工作异常。
第三步从图纸5655683(SCHEM，MODULATORHVREG—K4)分析，TP7和TP5的电压都为零，引起K4击穿的电路须从K4T2查起。K4T2相关的电路(见图1)。
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换上新的保险丝K4F1，断开四极管的所有接线桩。用万用表测量K4T2的初级电压，为110Vac(标称值为120Vac，属正常)，次级电压端，TB1S22-1为1KV，S34-5为465V，S1为8.4V。关掉整机电源(注意：断电后在测量速调柜中各元器件前，必须用放电棒对高压部分充分放电。)，用万用表测量各元件，充电电感L1正常，碳质电阻R29(33Ω，1/2W)击穿。经过测试整流桥堆CR8和CR16~23中有四个二极管击穿。
故障小结由于没现成的备件，单纯从厂家购置桥堆需要一定的时间而且价格不菲，自己就从市场上购买参数相近的二极管自制桥堆。更换以上几个配件，重新连接好四极管，开机，K4F1不出现再次击穿现象。预热后出束，脉冲电流PULSEI幅值和宽度均恢复正常。优化波形后投入治疗。在检查过程中同时发现，与K4T2次级线圈连接的电线因为大电流的经过，持续发热后塑料壳破损，产生打火现象，机房内焦糊味的原因由此可以解释。
故障现象2
出束前出现27#(HIGHVOLTAGEOVERCURRNT)。
检修过程从连锁提示可以判定故障出现在速调柜那里。(1)首先用示波器测量PULSEI的幅度是否大于11A或110V，以排除速调管问题;(2)对闸流管各测试点的电压进行测量，结果正常;(3)对四极管各测试点的电压进行测量。TB2上：5-6(ScreenGrid)=+650V(+800~+850V)7-6(ControlGrid)=–440V(–600~–650V)4~1(Filaments)=7.4V(8~9V);TP1(LightTubeBiasOff)=200V以上测试结果显示所有的电压都比标称值小。断开四极管的每个接线桩，使四极管悬空，测量TB2上的5~6(3脚接地)=+812V，7~6=-640V，恢复正常，此现象表明四极管的负载太重，可能有接地现象产生。这须检查四极管及其底座相关的电路，四极管及其底座的电路(见图2)。拆下四极管的底座，用万用表测量各个元件，电阻阻值、电容正反阻值和三极管都正常，进一步检测各元件的外壳与基座有无短路的情况，结果测到C8(10μF,450V)的外壳直接连接在四极管底座上，亦即直接接地，导致四极管负载太重。拆之，发现C8底座上的云母垫片已经变脆粉碎，由于当时无现成的云母绝缘片，想办法用自制的垫片替代。方法是：用没经过曝光的胶片，反复用洗胶片的液
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体进行一系列冲洗，直至洗去表面的离子为止，最后用无水酒精擦洗干净，装回机器中，开机，测得所有的电压恢复正常。
故障分析机器运行使用时间较长，会导致元器件老化损坏。云母片的变脆粉碎，就是由于二极管C8老化后在工作过程中过度发热所致。考虑到C8的热稳定性和功能已不够稳定，自制胶片垫的热稳定性不好，最后向西门子订购了四极管的基座以彻底解决此故障隐患。
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