低负载电容与高负载电容
负载电容既是晶振本身具有的一种电特性,也是晶振在应用中对电路要求的条件。
(1)JAl8A型晶振具有较低负载电容特性,其负载电容额定值为16pF。它在应用中就要求与之相连振荡电路的等效电容为l6pF,以与晶振的负载电容匹配,这样才能保证振荡信号不会偏离晶振的谐振频率。通常将具有低负载电容特性的晶振称为低负载电容型晶振,这类晶振的负载电容较小,其额定值一般在十几至几十皮法。
(2)JAl8B型晶振具有较高负载电容特性,它的负载电容额定值为∞。那么在应用中就要求与之相连振荡电路的等效电容为∞。只有与晶振的负载电容匹配,才能保证振荡信号不会偏离晶振的谐振频率。通常将具有高负载电容特性的晶振称为高负载电容型晶振,这类晶振的负载电容额定值都为∞。
可以指出,负载电容既是晶振谐振频率的测试条件,也是一个不容忽视的使用条件。