在许多情况下，开关电源设计人员会有关于MOSFET电容温度系数的疑问，因为功率MOSFET通常工作在高温下。总之，MOSFET电容值对于温度可以被认为是恒定的。MOSFET电容由耗竭长度（depletionlength）、掺杂浓度、沟道宽度和硅介电常数所决定，但所有这些因素不会由温度而产生较大的变化。而且MOSFET开关特性如开关损耗或开/关转换速度也不会因温度而产生较大的变化，因为MOSFET是多数载流子器件，因而开关特性主要是由其电容来决定。当温度上升时，等效串联栅极电阻会有少量增加。这会使MOSFET在高温下的开关速度少许降低。图4显示了依据温度变化的电容。温度变化超过150度时，电容值的变化也不超过1%。
另一个设计人员感兴趣的地方是MOSFET电容的测试条件。大多数情况下，输出电容在1MHz频率和Vgs为0V的条件下测得。事实上存在着栅极对漏极电容、栅极对源极电容，以及漏极对源极电容。实践中，单独测量每一种电容是不可能的。因此，栅极对漏极电容和漏极对源极电容总称为输出电容，通过并联两个电容来测量。为使它们并联，栅极和源极短接在一起，即Vgs=0V。在开关应用中，当MOSFET在栅极加偏置电压而导通时，输出电容通过MOSFET内部沟道而短路。仅当MOSFET关断时，输出电容值才值得考虑。关于频率，如图5所示，在低压下输出电容在低频下增加少许。低频时，因为测试设备的限制，有时无法测量低漏源电压下的电容。图5中，当漏源电压小于4V时，100kHz处的电容是无法测得的。虽然输出电容仅有微小改变，但等效输出电容几乎是恒定的，因为低电压下输出电容的微小改变不会对储能产生如图3显示那么大影响。