光敏电阻是利用内光电效应的原理制成的。图9.1.6为光敏电阻的原理结构。光敏电阻几乎都是由半导体材料制成的。有些半导体在黑暗的环境下，它的电阻是很高的，但当它受到光线照射时，若光子能量hr大于本征半导体材料的禁带宽度E，则禁带中的电子吸收一个光子后就足以跃迁到导带，激发出电子-空穴对，从而加强了导电性能，使阻值降低，且照射的光线愈强，阻值也变得愈低，光照停止，自由电子与空穴逐渐复合，电阻又恢复原值，若把光敏电阻接到图9.1.6所示的电路中，通过光的照射，就可以改变电路中电流的大小。
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光敏电阻是由绝缘底座、半导体薄膜和电极三部分组成，金属电极与半导体层应保持着很好的电接触，再将金属电极与引出线端相连接，光敏电阻就通过引出线端接入电路，从而实现光电转换。为了防止周围介质的影响，在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜，漆膜的成分选择应该使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。
光敏电阻的种类繁多，一般由金属的硫化物、硒化物等组成(如硫化镉、硫化铅、硫化铊、硒化镉、硒化铅等)。由于所用材料不同，工艺过程的不同，它的光电性能也相差很大。