解析抗干扰介质损耗测试仪
仪器信息网 · 2012-12-10 09:34 · 61248 次点击
解析抗干扰介质损耗测试仪
抗干扰介质损耗测试仪的主要技术要求:
1、准确度:Cx:±(读数×1%+1pF)
tgδ:±(读数×1%+0.00040)
2、抗干扰指标:变频抗干扰,在200%干扰下仍能达到上述准确度
3、电容量范围:内施高压:3pF~60000pF/10kV60pF~1μF/0.5kV
外施高压:3pF~1.5μF/10kV60pF~30μF/0.5kV
分辨率:最高0.001pF,4位有效数字
4、tgδ范围:不限,分辨率0.001%,电容、电感、电阻三种试品自动识别。
5、试验电流范围:10μA~5A
6、内施高压:设定电压范围:0.5~10kV
最大输出电流:200mA
升降压方式:连续平滑调节
电压精度:±(1.5%×读数+10V)
电压分辨率:1V
试验频率:45、50、55、60、65Hz单频
45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自动双变频
频率精度:±0.01Hz
7、外施高压:正接线时最大试验电流1A,工频或变频40~70Hz
反接线时最大试验电流10kV/1A,工频或变频40~70Hz
8、CVT自激发低压输出:输出电压3~50V,输出电流3~30A
9、测量时间:约40s,与测量方式有关
10、输入电源:180V~270VAC,50Hz/60Hz±1%,市电或发电机供电
11、环境湿度:-10℃~50℃
12、相对湿度: